POWEREX全碳化硅模塊QJE1210SB1

Powerex 碳化硅 MOSFET 模塊設計用于高頻應用。每個(gè)模塊由六個(gè) MOSFET 碳化硅晶體管組成。所有組件和互連都與散熱基板隔離，提供簡(jiǎn)化的系統組裝和熱管理。

• 接點(diǎn)溫度：175°C
• 良好的Rds(on)
• 高速開(kāi)關(guān)
• 低開(kāi)關(guān)損耗
• 低電容
• 低驅動(dòng)要求
• 高功率密度
• 隔離底板
• 氮化鋁隔離
• Wolfspeed 第三代芯片

大帶隙能量和高場(chǎng)擊穿是碳化硅 (SiC) 的兩個(gè)主要特性，碳化硅 (SiC) 已被用于創(chuàng )建具有零反向恢復電荷、降低開(kāi)關(guān)損耗和更高溫度工作機會(huì )的新一代功率半導體。

Powerex 將供應商的 SiC MOSFET 和肖特基勢壘二極管封裝到高性能全 SiC 模塊中，或與高頻硅 IGBT 封裝到混合 Si/SiC 模塊中。新的薄型分離式雙封裝具有低電感和適用于高熱循環(huán)應用的銅或 AlSiC 基板。

節能電力系統

高頻型電力系統

高溫電力系統