PHILLIPTECH 石英晶體 TAN05RCIG：高精度薄膜工藝的可靠之選

在精密制造領(lǐng)域，石英晶體作為薄膜沉積過(guò)程中的關(guān)鍵監測元件，其性能直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量與精度。PHILLIPTECH 推出的 TAN05RCIG 型號石英晶體，為 ALD、CVD、濺射等嚴苛薄膜工藝提供了穩定可靠的解決方案。

TAN05RCIG 石英晶體采用 5.000 MHz 頻率設計，結合獨特的 RC（輻射補償）AT 切割技術(shù)，在面對熱應力環(huán)境時(shí)，能出色保持測量精度與頻率穩定性。其雙錨電極模式經(jīng)過(guò)精心設計，可與 Inficon、Maxtek、Sigma Instruments 及 Sycon 等主流品牌的沉積控制器和 QCM 系統完美兼容，極大降低了設備集成難度，為生產(chǎn)線(xiàn)的順暢運行提供保障。

傳統石英晶體在高能沉積環(huán)境中常面臨諸多局限，而 TAN05RCIG 搭載的 RC 技術(shù)有效突破了這一困境。它具備強大的抗干擾能力，能抵御輻射熱和源通量造成的頻率偏移，同時(shí)可消除因快門(mén)打開(kāi)或等離子點(diǎn)火引發(fā)的誤報率峰值，確保監測數據的準確性。即便在溫度循環(huán)、離子轟擊以及薄膜應力等復雜工況下，該晶體仍能保持穩定運行，為高精度涂層中的納米級控制提供純凈、可靠的數據支撐，是對熱條件下可靠性有高要求應用的理想之選。

在電極選擇上，TAN05RCIG 提供了金（Au）、銀（Ag）和鋁（Al）三種選項，以滿(mǎn)足不同場(chǎng)景的需求。金電極具有卓越的耐化學(xué)腐蝕性和熱穩定性，適用于 ALD 及侵蝕性蒸汽環(huán)境；銀電極擁有較高的 Q 因子，是超潔凈光學(xué)或半導體薄膜工作的優(yōu)質(zhì)選擇；鋁電極與石英的熱匹配性強，更適合高溫鋁沉積或抗氧化用途。每種電極的涂層均采用真空沉積工藝，在附著(zhù)力、均勻性和邊緣清潔度方面都經(jīng)過(guò)嚴格的質(zhì)量控制，確保性能穩定。

該石英晶體的技術(shù)參數同樣亮眼，其直徑為 14 毫米，工作溫度范圍涵蓋 100°C 至 300°C，表面經(jīng)過(guò)研磨處理，Q 因子典型值超過(guò) 70,000，應力敏感性極低。產(chǎn)品以 10 個(gè)晶體為一組進(jìn)行包裝，方便用戶(hù)儲備與更換。

憑借出色的性能，TAN05RCIG 石英晶體在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應用，包括 ALD 和 CVD 薄膜監控、高溫 PVD 和濺射、光學(xué)涂層沉積以及半導體和 OLED 制造等。