英國E2V技術(shù)氫閘流管說(shuō)明

氫閘流管是一個(gè)高的峰值功率電開(kāi)關(guān)它使用氫氣作為開(kāi)關(guān)介質(zhì)。該開(kāi)關(guān)動(dòng)作是由從絕緣的轉印實(shí)現中性氣體對的離子化的導電性質(zhì)屬性氣體。利用氣體放電物理學(xué)的基原理，在氫閘流管被設計成能承受高電壓在“關(guān)斷”狀態(tài)，以觸發(fā)在精確定義的時(shí)間，以通在“開(kāi)”的狀態(tài)，并快速恢復高的峰值電流脈沖到“關(guān)斷”狀態(tài)，以允許高重復率操作。E2V Technologies的氫閘流管具有高電壓其中，最多延伸至200千伏和峰值電流能力能力延伸高達100 kA。某些設計可能辦理部分或全部反向傳導。脈沖寬度從幾十納秒到幾百微秒的是容易實(shí)現。脈沖重復率能力高達70千赫具有被證明。閘流管是穩健和寬容它可以在過(guò)量的容忍故障條件以及器件正常的收視率。在這樣的表現，E2V的基礎技術(shù)氫閘流管，非常適合切換存儲在電容器組或能量脈沖形成互聯(lián)成各種負載，包括磁控管，速調管，沖擊磁鐵和氣體放電激光器。E2V技術(shù)的不斷氫的發(fā)展閘流管，以滿(mǎn)足需求，現有的和未來(lái)的高電壓脈沖系統。
說(shuō)明
E2V技術(shù)生產(chǎn)多種氫閘流管設計，以滿(mǎn)足特定的應用需求。
圖1中的示意圖顯示的基本結構這些設計基本。

為了達到所需的閘流管的特殊條件操作時(shí)，在陰極，柵極和陽(yáng)極結構包含在玻璃的絕緣真空密封信封或陶瓷密封在電極和加熱器連接。該信封被設計成能承受期間施加的電壓操作，這導致了結構，其中，作為一個(gè)規則拇指，網(wǎng)格和陽(yáng)極表面由3毫米隔開(kāi)（1/ 8英寸）上的外殼的內部和由75毫米（3英寸）在外面。熱離子陰極和氫儲系統是由鎢絲加熱到適當的溫度，以確保良好的電子發(fā)射和很佳的分別氣體壓力。內電極結構被設計，以?xún)?yōu)化高電壓保持關(guān)閉，觸發(fā)電流脈沖上升時(shí)間和恢復特點(diǎn)。各種設計方法都遵循給特定應用很佳性能。例如，陽(yáng)極設計包括空腔或熱離子陰極以啟用雙向電流傳導。善系統性能取決于選用合適的閘流管類(lèi)型，以及重要的參數，如陽(yáng)極電壓，峰值電流，脈沖寬度和重復速率必須考慮。
圖2.閘流管的開(kāi)關(guān)周期我電壓保持關(guān)閉閘流管被設計成能承受在高電壓陽(yáng)極和觸發(fā)與在格柵上的低電壓。電壓在任何氣體填充間隙擊穿由自由電荷發(fā)起（電子和離子）交叉的影響下的間隙電場(chǎng)。

如果有足夠的能量是可用的，氣體分子是電離產(chǎn)生更多的自由電荷。正離子是朝向低電位電極加速，并導致釋放二次電子。在正常情況下,成為自我維持和電壓擊穿發(fā)生。擊穿行為由帕邢描述法，其中，電極/氣體的擊穿電壓V系統是壓力p的乘積的函數，并電極間距D：V = F（PD）這種關(guān)系的曲線(xiàn)圖是在圖3所示的形式的和擊穿電壓有最小的概率pd的值，指定pdmin。擊穿電壓上升在任一側pdmin的開(kāi)始，因此有可能找到概率pd的兩個(gè)值哪給予同樣的擊穿電壓。例如，閘流管操作上的曲線(xiàn)的低概率pd或左手側?；鹦情g隙在曲線(xiàn)的高概率pd或右側操作。

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英國E2V成立于1947年，核心業(yè)務(wù)是射頻 (RF) 與微波產(chǎn)品、子系統與解決方案，半導體產(chǎn)品與解決方案。e2v 提供一系列基于電子設備、固態(tài)和支持技術(shù)的射頻功率解決方案，適用于：國防電子對抗、癌癥放射治療設備、雷達系統、衛星通信放大器、工業(yè)供暖（柵極管）、貨物篩選、ProWave 工業(yè)處理系統、導彈控制保險與解決保險裝置、數字電視發(fā)射機。E2V成像傳感器和熱像儀適用于各類(lèi)要求極高的行業(yè)：如航空航天、科技、國防、工業(yè)和醫療。