CENTRALSEMI二極管CMDSH05-4 TR

肖特基二極管（SBD）利用金屬與半導體之間的接觸勢壘來(lái)實(shí)現整流功能，相比傳統的PN結二極管，其正向壓降更低。CMDSH05-4的這一特性使其在低功耗應用中能夠顯著(zhù)減少能量損失，提高電路效率。肖特基二極管的開(kāi)關(guān)速度非?？?，這得益于其內部的金屬-半導體接觸結構。CMDSH05-4的高頻特性使其適用于需要快速響應和高速切換的應用，如高頻信號放大、開(kāi)關(guān)電源等。

• CMDSH05-4采用表面貼裝SOD-323封裝，這是一種緊湊且有效率的封裝形式。
• 這種封裝不僅減小了器件的尺寸，還提高了電路板的集成度和可靠性，降低了生產(chǎn)成本。
• CMDSH05-4具有較高的熱穩定性和溫度穩定性，能夠在惡劣環(huán)境下（如高溫、低溫、潮濕等）保持穩定的性能。這使得它在各種惡劣條件下的應用中都能提供可靠的電流控制和整流功能。
• 電源管理：CMDSH05-4的低功耗和高的效率使其成為電源管理電路中的理想選擇，特別是在需要降低待機功耗和延長(cháng)電池壽命的應用中。
• 高頻電路：其快速的開(kāi)關(guān)速度和高頻特性使其成為高頻信號放大、振蕩器和射頻電路中的關(guān)鍵元件。
• 嵌入式系統：在嵌入式系統中，CMDSH05-4的小尺寸和高可靠性使其成為節省空間和提高系統穩定性的理想選擇。

產(chǎn)地：美國

峰值重復反向電壓：40 V

連續正向電流：500 mA

峰值正向重復電流，tp≤1.0 ms：3.5 A

峰值正向浪涌電流，tp=8.0 ms：10 A

功率耗散：250 mW

工作溫度：-65 至 +150 °C

存儲接面溫度：-65 至 +150 °C

熱阻：500 °C/W

封裝：SOD-323

表面：表面貼裝硅