RFMI晶體振蕩器XVT9030

VC-TCXO是在溫度補償晶體振蕩器（TCXO）的基礎上增加了電壓控制功能。它內置了溫度傳感器和補償電路，能夠實(shí)時(shí)監測晶振內部溫度的變化，并通過(guò)補償電路調整晶振的頻率輸出，以減小溫度波動(dòng)對頻率穩定性的影響。同時(shí)，VC-TCXO還允許外部通過(guò)電壓信號調整晶振的輸出頻率，從而實(shí)現更寬范圍的頻率調整。

• 壓控溫度補償晶體振蕩器
• 高的頻率穩定性和低相位噪聲
• 0x3.2x1.6 毫米表面貼裝外殼
• 符合指令 2002/95/EC（RoHS）
• 通過(guò) AEC-Q200 認證
• 濕度靈敏度級別：1

產(chǎn)地：美國

標稱(chēng)頻率，Fo：16.368000 MHz

存儲溫度范圍：-55°C至+125C

工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

電源電壓，VDD：3.3V+/-5%

電源電流，IDD：6.0 mA max

控制電壓，Vcon：1.5+/- 1.0V

回流焊后的頻率公差（Vcon=1.5V）：+/-2.0 ppm @ 25°C +/-3C

頻率穩定性

a.Vs.T溫度(-40~85°C)：+/- 0.5 ppm 參考至 25°C

b.與 15PF+/-10% 的負載變化有關(guān)：+/-0.2 ppm

c.與電源電壓變化 Vdd+/-5% 有關(guān)：+/-0.3 ppm

Vcon 頻率控制范圍（1.5+/-1.0 V）：+/-7 ppm min

Vcon 輸入阻抗：100 KOhm min

輸出波形：CMOS

負載：15pF

“0 "電平：0.33V max

“1 "電平：2.97V min

上升時(shí)間（10% -> 90% 最終射頻電平，單位 Vp-p）：6.0 nsec max.

下降時(shí)間（90% -> 最終射頻電平的 10%，單位 Vp-p）：6.0 nsec max.

占空比：45%~55%

啟動(dòng)時(shí)間：2.0 msec max.